کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545511 | 1450554 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Accelerated lifetime test of RF-MEMS switches under ESD stress
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents the results of a study on issues of reliability and accelerated life testing for radio frequency micro-electromechanical system (RF-MEMS) capacitive devices. A human-body-model electrostatic discharge tester has been used to induce charging by operating at stress levels much higher than would be expected in normal use. Temperature ranges from 300 K to 330 K allows the understanding of physical mechanisms that may be responsible for the device’s reliability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1256–1259
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1256–1259
نویسندگان
J. Ruan, N. Nolhier, G.J. Papaioannou, D. Trémouilles, V. Puyal, C. Villeneuve, T. Idda, F. Coccetti, R. Plana,