کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545515 | 1450554 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multiscale simulation of aluminum thin films for the design of highly-reliable MEMS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A multiscale simulation methodology is presented to predict the macroscopic mechanical properties of aluminum thin films with a columnar grain structure from the morphology at microscopic scale. The elasto–plastic characteristics of the thin films are calculated as a function of the grain size, temperature, and strain rate by taking into account creep phenomena. The simulated data are validated by experimental stress–strain curves measured by dedicated microstructures in conjunction with a nanoindentation test equipment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1278–1282
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1278–1282
نویسندگان
Haruka Kubo, Mauro Ciappa, Takayuki Masunaga, Wolfgang Fichtner,