کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545520 | 1450554 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Capacitive RF MEMS analytical predictive reliability and lifetime characterization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The reliability of integrated systems is considered as a major obstacle in their development. The goal of this work is to estimate the lifetime of RF MEMS capacitive switch devices. This is performed by combining the functional and physical failure analysis models using the VHDL-AMS language. The physics of charging effects along with mechanical behavior of the membrane are introduced simultaneously to determine the time to failure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1304–1308
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1304–1308
نویسندگان
Mohamed Matmat, Fabio Coccetti, Antoine Marty, Robert Plana, Christophe Escriba, Jean-Yves Fourniols, Daniel Esteve,