کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545527 | 1450554 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Source electrode evolution of a low voltage power MOSFET under avalanche cycling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents the impact of high current repetitive avalanche pulses on a low voltage vertical power MOSFET at high temperature. Measurements show that RDSon decreases with the number of avalanche cycles whereas other electrical parameters stay constant. A simple model proposed in this paper shows that RDSon measurements are linked to MOSFET source electrode evolution. Also once source electrode has aged standard RDSon measurements at high current using force and sense are no more representative of silicon on resistance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1341–1345
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 49, Issues 9–11, September–November 2009, Pages 1341–1345
نویسندگان
B. Bernoux, R. Escoffier, P. Jalbaud, J.M. Dorkel,