کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5461736 | 1398795 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical study of thin films CIGS bilayer solar cells using SCAPS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Numerical study of thin films CIGS bilayer solar cells using SCAPS Numerical study of thin films CIGS bilayer solar cells using SCAPS](/preview/png/5461736.png)
چکیده انگلیسی
In this paper we present a simulation study of thin films solar cells structure ZnO/CdS/CuIn(1-x)GaxSe2/CuIn(1-y)GaySe2 based on alternated CIGS absorber layers, using one dimensional simulator SCAPS-1D. We evaluated the open-circuit voltage (Voc), short-circuit current density (Jsc), fill factor (FF) and efficiency (η) of the structure as a function of band gaps and thicknesses of CIGS bi-layer. We found that the band gap Eg and thickness of the top absorber (CuIn(1-x)GaxSe2) strongly influence the performance of the solar cell. The efficiency of the CIGS solar cells with a second absorber layer can be increased if the band gap of this layer is equal to 1.38eV. The best efficiency is achieved with thicknesses of around 1100 nm and 600 nm respectively for top and bottom absorber layers is close to 22.5%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 3, Issue 7, 2016, Pages 2570-2577
Journal: Materials Today: Proceedings - Volume 3, Issue 7, 2016, Pages 2570-2577
نویسندگان
El Hassane Ihalane, Lahoucine Atourki, Hassan Kirou, Ahmed Ihlal, Khalid Bouabid,