کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5462551 | 1517177 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanosecond laser induce size-controllable SiGe islands with high Ge composition, large aspect ratio and defect-free characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the present work, laser-induced directed dewetting (LIDD) of amorphous germanium thin films generates single crystalline SiGe islands on Si substrate. Furthermore, SiGe islands with a high aspect ratio of 1.06 are prepared by pulse laser irradiation. Variation of the nanosecond heating laser's pulse fluence enables modulation of the nanoscale island size, and the diameter of islands can be selected in the range of 40Â nm-150Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 211, 15 January 2018, Pages 250-253
Journal: Materials Letters - Volume 211, 15 January 2018, Pages 250-253
نویسندگان
Dongfeng Qi, Shihao Huang, Letian Wang, Meng Shi, Songyan Chen, Costas P. Grigoropoulos,