کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5462704 | 1517180 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved indium oxide transparent conductive thin films by hydrogen annealing
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نازک هدایت شونده اکسید منیزیم را با انجماد هیدروژن بهبود می بخشد
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In2O3 thin films were prepared by reactive evaporation with post-annealing treatment at forming gas of N2 and H2. After post-annealing treatment, the films annealed at forming gas achieved lowest resistivity of 2.70 Ã 10â4 Ω cm. The XRD results show that the In2O3 films annealed in forming gas and N2 with good recrystallization. In the forming gas annealing process, hydrogen plays a key role in the generation of oxygen vacancies and enhances the formation of In-OH bond which may influence the electrical and optical properties of the In2O3 films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 208, 1 December 2017, Pages 107-110
Journal: Materials Letters - Volume 208, 1 December 2017, Pages 107-110
نویسندگان
Zhirong Yao, Shenghao Li, Lun Cai, Xuemeng Wang, Bing Gao, Kaifu Qiu, Weiliang Wu, Hui Shen,