کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5463266 | 1517181 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of high-quality AlGaN epitaxial films on Si substrates
ترجمه فارسی عنوان
رشد باکیفیت اپتیکال آلوگن با کیفیت بالا بر روی زیربخش سی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
High-quality AlGaN epitaxial films have been grown on Si(1 1 1) substrates by metal-organic chemical vapor deposition through introducing an AlN layer followed by a high Al composition AlGaN buffer layer, together with optimizing the growth temperature to promote the dislocations reduction. The as-grown â¼400 nm-thick AlGaN epitaxial films with optimized growth temperature of 980 °C reveal high crystalline quality with a full-width at half-maximum for AlGaN(0 0 0 2) of 0.29° and smooth surface with a root-mean-square surface roughness of 0.76 nm. This work provides an effective approach for the growth of high-quality AlGaN epitaxial films in the application of ultraviolet lasers and detectors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 207, 15 November 2017, Pages 133-136
Journal: Materials Letters - Volume 207, 15 November 2017, Pages 133-136
نویسندگان
Yuan Li, Wenliang Wang, Yunhao Lin, Xiaochan Li, Liegen Huang, Yulin Zheng, Zichen Zhang, Guoqiang Li,