کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5463440 | 1517182 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of indigo-based nonvolatile write-once-read-many-times memory device
ترجمه فارسی عنوان
توسعه یک دستگاه حافظه چند منظوره نوشتن یک بار خوانده شده چند بار غیرممکن است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The development of a nonvolatile organic write-once-read-many-times (WORM) memory device, consisting of a 100Â nm layer of indigo sandwiched between indium tin oxide cathode and Al anode, is reported. This device is found to be at its ON state and can be switched to the OFF state by applying a positive bias with the ON/OFF current ratio being up to 106. The device exhibits storage stability of over 108Â h in air without encapsulation. This device offers the possibility of a low-cost biodegradable data storage as Indigo is inexpensive, bio-degradable and non-toxic. The operational mechanism of the device is discussed in terms of dipoles induced at the Al-indigo interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 206, 1 November 2017, Pages 128-131
Journal: Materials Letters - Volume 206, 1 November 2017, Pages 128-131
نویسندگان
Zhengjun Wang, Konstantinos Sierros, Mohindar S. Seehra, Dimitris Korakakis,