کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546367 | 871890 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SOI digital pixel sensor based on charge pumping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: SOI digital pixel sensor based on charge pumping SOI digital pixel sensor based on charge pumping](/preview/png/546367.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, a digital pixel sensor in silicon on insulator (SOI) is presented. The active part is a partially depleted SOI phototransistor. The technique elaborated in Harik et al. (2008) [1] was designed and implemented. Moreover, we took advantage of some of the characteristics of the floating body SOI MOSFET to implement a first order delta sigma modulator in each pixel. Measured data show that the pixel has a sensitivity of 3 mW/m2 and a resolution of about 7 bits. This pixel can be operated in two modes: weak inversion (Idc=1.2 μA) and moderate inversion (Idc=15 μA).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 11, November 2010, Pages 758–765
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 11, November 2010, Pages 758–765
نویسندگان
Louis Harik, Jean-Michel Sallese, Maher Kayal,