کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5463964 | 1517190 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field induced slanting growth of silicon nanowires with enhanced hydrophobic property
ترجمه فارسی عنوان
الکتریکی ناشی از رشد نانوسیمهای سیلیکونی با امکان افزایش هیدروفوبی است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ریز ساختار، نیمه هادی سی، میدان الکتریکی، سطوح
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
The etching process of Si nanowires under DC electric field was studied in this work. Interestingly, the growth direction of silicon nanowires became slanting when applied with DC electric intensity of 600 V/m, which greatly influenced the surface wettability ascribed to the variation of surface morphologies. The contact angle of slant Si nanowire was enhanced compared with vertical growth Si nanowire (132.4° vs. 86.8°).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 198, 1 July 2017, Pages 8-11
Journal: Materials Letters - Volume 198, 1 July 2017, Pages 8-11
نویسندگان
Yanhong Zhao, Wenyao Li, Zhe Wang, Quanyi Li, Guanjie He,