کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546517 | 1450485 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron pumping through quantum dots defined in parallel etched quantum wires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron pumping through quantum dots defined in parallel etched quantum wires Electron pumping through quantum dots defined in parallel etched quantum wires](/preview/png/546517.png)
چکیده انگلیسی
We present the first results on electron transport through a tuneable-barrier double quantum dot electron pump. This device could yield twice the current to a single-dot pump previously reported [M.D. Blumenthal, B. Kaestner, L. Li, S. Giblin, , T.J.B.M. Janssen, M. Pepper, D. Anderson, G. Jones, D.A. Ritchie, Gigahertz quantized charge pumping, Nat. Phys. 3 (2007) 343], at the same operating frequency. The two quantum wires forming the device were not sufficiently homogeneous for pumping to be observed through both dots simultaneously, but sufficient homogeneity should be attainable in future batches of devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 365–368
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 365–368
نویسندگان
M.D. Blumenthal, B. Kaestner, L. Li, S. Giblin, T.J.B.M. Janssen, M. Pepper, D. Anderson, G. Jones, D.A. Ritchie,