کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546523 | 1450485 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of the Dresselhaus spin splitting on the effective Landé g-factor in GaAs–(Ga,Al)As quantum wells under in-plane or growth-direction magnetic fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using the non-parabolic and anisotropic Ogg–McCombe effective Hamiltonian, we study the effect of the Dresselhaus spin splitting on the cyclotron effective mass and Landé gg-factor associated to conduction electrons in GaAs–(Ga,Al)As quantum wells under applied magnetic fields, both along the growth- and in-plane directions of the heterostructure. Theoretical results are found in good agreement with available experimental measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 390–393
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 390–393
نویسندگان
N. Porras-Monenegro, C.A. Perdomo-Leiva, E. Reyes-Gómez, H.S. Brandi, L.E. Oliveira,