کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546531 | 1450485 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Miniband structure of parabolic GaAs/AlxGa1-xAsGaAs/AlxGa1-xAs superlattices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A study of the miniband structure formation for parabolic GaAs/AlxGa1-xAsGaAs/AlxGa1-xAs superlattices within the spin-dependent sp3s*sp3s* tight-binding method is presented. A detailed analysis of the miniband formation is given and the importance of all system parameters is discussed. The transition from finite to infinite superlattices is considered and the dependence of the equidistant miniband separation on the superlattice size is revealed. A comparison with different theoretical methods and experimental data is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 423–426
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 423–426
نویسندگان
I. Rodriguez-Vargas, O.Y. Sánchez-Barbosa, D.A. Contreras-Solorio, S.J. Vlaev,