کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546553 | 1450485 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Free-standing SiO2 films containing Si nanocrystals directly suitable for transmission electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Free-standing SiOx films were prepared by molecular beam deposition following back side Silicon (Si) wafer etching in tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) solution. Transmission Electron Microscopy confirms the presence of Si nanocrystals in the as-prepared film. Raman spectroscopy show that deep structural film reorganization appears during high temperature laser treatment. The laser annealing decreases photoluminescence from the films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 518–522
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 518–522
نویسندگان
S. Novikov, J. Sinkkonen, T. Nikitin, L. Khriachtchev, M. Räsänen, E. Haimi,