کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546589 | 1450485 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integrated InGaAsP MQW Mach–Zehnder modulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We demonstrate the use of an area selective zinc in-diffusion process as a simple and efficient technique for the fabrication of integrated photonic devices. By controlling the profile of the diffusion front and the zinc depth the insertion losses of the devices can be minimized. Using this technique an integrated 1×2 Mach–Zehnder analog modulator was fabricated. Our experimental results demonstrate that the modulator exhibits excellent linearity for both TE and TM polarizations over a wavelength range of 40 nm. The measured on-chip losses in the order of 3 dB are obtained, which is significantly lower compared to the use of isolation trenches.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 660–663
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 660–663
نویسندگان
D.A. May-Arrioja, P. LiKamWa, I. Shubin, P.K.L. Yu,