کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546592 | 1450485 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of a GaAs/AlGaAs-based quantum cellular automata cell
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Realization of a GaAs/AlGaAs-based quantum cellular automata cell Realization of a GaAs/AlGaAs-based quantum cellular automata cell](/preview/png/546592.png)
چکیده انگلیسی
We report on the experimental demonstration of a four-dot cell on a GaAs/AlGaAs substrate fabricated using electron beam lithographically defined gates. These surface metallic gates form a pair of double quantum dots, as well as a pair of quantum point contacts that act as non-invasive voltage probes. This device is used to realize a quantum cellular automata cell and, in further experiments, we employ it to investigate photon assisted tunneling. These results prove that the four-dot cell is a good building block candidate toward fulfilling the scalability DiVincezo criteria.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 674–677
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issues 3–4, March–April 2008, Pages 674–677
نویسندگان
F. Perez-Martinez, K.D. Petersson, I. Farrer, D. Anderson, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie, C.G. Smith,