کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5466735 1518299 2017 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation in elemental mapping using aberration-corrected electron microscopy
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی در نقشه برداری عنصری با استفاده از میکروسکوپ الکترونی اصلاح شده با خراش
کلمات کلیدی
تصویربرداری با وضوح اتمی، طیف سنجی از دست دادن انرژی الکترون، تجزیه و تحلیل اشعه ایکس انرژی پراکنده، میکروسکوپ الکترونی انتقال فیلتر فیلتر شده با انرژی، نقشه برداری عنصری،
ترجمه چکیده
نقشه برداری عنصری در مقیاس اتمی در میکروسکوپ الکترونی تصحیح شده با استفاده از انحراف به طور فزاینده ای به طور گسترده ای مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله، نقش اساسی شبیه سازی در درک فیزیک پایه و در نتیجه به درستی تفسیر این نقشه ها، هم کیفیتی و هم کمی.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش مقاله
شبیه سازی در نقشه برداری عنصری با استفاده از میکروسکوپ الکترونی اصلاح شده با خراش
چکیده انگلیسی
Elemental mapping at the atomic scale in aberration-corrected electron microscopes is becoming increasingly widely used. In this paper we describe the essential role of simulation in understanding the underlying physics and thus in correctly interpreting these maps, both qualitatively and quantitatively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 180, September 2017, Pages 142-149
نویسندگان
,