Significance of matrix diagonalization in modelling inelastic electron scattering

پراکندگی الکترونی همیشه به عنوان یکی از روالهای تحقیق در مورد نانوساختارها کاربرد دارد. امروزه توسعه سختافزار برای این تکنیک بیشتر و بیشتر به نظر می رسد. به عنوان مثال نانوساختارهای تصویربرداری با الکترون های پراکنده ناپیوستگی ممکن است به تولید تصاویر حساس به مولکول با وضوح اتمی کمک کند. بنابراین مدلسازی پراکندگی الکترون ناپیوسته برای تفسیر این تصاویر ضروری است. مانع اصلی بررسی مشکل پراکندگی ناپیوسته پیچیدگی آن است. در طی پراکندگی ناپیوسته، الکترونهای حادثه با اشیاء درهم می آیند، و شرح این پروسه شامل یک آرایه چند بعدی می شود. از آنجا که شبیه سازی معمولا شامل تبدیل چهارم دیفرانسیل فوریه است، محاسبات بسیار ناکارآمد است. در این کار ما یک راه حل را برای حل مسئله چند بعدی ارائه دادیم. با تبدیل یک آرایه با ابعاد بزرگ به آرایه دو بعدی، می توانیم مانع از ماتریس را انجام دهیم و آرایه چند بعدی چند بعدی را با دو عنصر خاص دو بعدی آن تقریب کنیم. روش ما مشکل پیچیده چند بعدی را به یک مشکل دو بعدی کاهش می دهد. علاوه بر این، تعداد مشکلات دو بعدی را به حداقل می رساند. این روش برای مطالعه چند پراکندگی ناپیانی بسیار مفید است.