کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546723 | 871937 | 2006 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of a Hamming neural network based on single-electron tunneling devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, the first complete implementation of a Hamming neural network based on single-electron devices is presented. A large-scale network for character recognition simulation based on building block approach was successfully carried out. Simulations were done using SIMON and MATLAB softwares. Effects such as offset charges and dynamic behavior are taken into account. Moreover, room temperature operation is considered.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 6, June 2006, Pages 510–518
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 6, June 2006, Pages 510–518
نویسندگان
J.G. Guimarães, L.M. Nóbrega, J.C. da Costa,