کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5468242 1518925 2017 27 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A model for distribution of iron impurity during silicon purification by directional solidification
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل برای توزیع ناخالصی های آهن در خالص سازی سیلیکون با خنثی کردن جهت
کلمات کلیدی
سیلیکون، خنک کننده جهت توزیع ناخالصی، نرخ رشد نوسانی،
ترجمه چکیده
در این مقاله یک مدل نظری برای تعیین توزیع ناخالصی آهن در طی تمیز کردن سیلیکون بوسیله یابی جهت با نرخ رشد کریستال نوسان ارائه شده است. نرخ رشد کریستال به طور معمول نوسان دارد و تأثیر عمیقی بر توزیع ناخالصی آهن در تولید عملی دارد. اعتبارسنجی مدل با توزیع ناخالصی آهن در طول تصفیه سیلیکن با انجماد جهت در تولید صنعتی و نتایج نشان می دهد که محاسبات با نتایج تجربی موجود همخوانی دارد. نتایج همچنین نشان می دهد که توزیع ناخالصی آهن به طور مستقیم با مقدار لحظه ای نرخ رشد کریستال ارتباط دارد. توزیع نوسان بالا ناخالصی های آهن در خالص سازی سیلیکون با خنک شدن جهت می تواند به خوبی توضیح داده شود. بسیاری از کاربردهای بالقوه مدل در تولید عملی، مانند پیش بینی توزیع ناخالصی آهن با نرخ رشد کریستال نوسان، ارزیابی میزان آسیب تولید، طراحی و بهینه سازی پارامترهای فرآیند و ارزیابی حداکثر عملکرد سیلیکن خام با غلظت ناخالصی های مختلف بر اساس تحقیق در این مقاله، تمیز کردن سیلیکون با مصرف انرژی کم امکان پذیر است.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
پیش نمایش مقاله
یک مدل برای توزیع ناخالصی های آهن در خالص سازی سیلیکون با خنثی کردن جهت
چکیده انگلیسی
A theoretical model to determine distribution of iron impurity during silicon purification by directional solidification with fluctuant crystal growth rate is proposed in this paper. The crystal growth rate is fluctuant usually and it has profound effect on the distribution of iron impurity in practical production. The model validation by the distribution of iron impurity during silicon purification by directional solidification in industrial production and the results show that the calculation agrees with existing experimental results. The results also indicate that distribution of iron impurity is directly correlated with the instantaneous value of crystal growth rate. The high fluctuant distribution of iron impurity during silicon purification by directional solidification can be well explained. Many potential applications of the model in practical production are found, such as predicting the distribution of iron impurity with fluctuant crystal growth rate, evaluating the effect degree of production accident, design and optimization of the process parameters and evaluating of maximum yield for raw silicon with different impurity concentration. Silicon purification with low energy consumption is possible based on the research in this paper.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 145, November 2017, Pages 251-257
نویسندگان
, , , , , , ,