کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468264 | 1518933 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvements on thermal stability of graphene and top gate graphene transistors by Ar annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal annealing of graphene was studied to improve the thermal stability. During the annealing under an Ar atmosphere with temperature from 100 °C to 600 °C, graphene exhibits partial removal of PMMA residues, low density of defect cracks in SEM images and relatively low ID/IG ratios in Raman spectrum probing. For a top-gated graphene transistor with thermal annealing, it performs high carrier mobility up to 3500 cm2 Vâ1 sâ1 and slightly asymmetric bipolar behaviours as well as slight Dirac point variation within ±0.2 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 137, March 2017, Pages 8-13
Journal: Vacuum - Volume 137, March 2017, Pages 8-13
نویسندگان
Bo Liu, In-Shiang Chiu, Chao-Sung Lai,