کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468298 | 1518930 | 2017 | 34 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bipolar and rewritable switching of one diode-one resistor nonvolatile strontium titanate nickelate memory devices
ترجمه فارسی عنوان
سوئیچینگ دوقطبی و مجدد یک دستگاه حافظه نیکلتی استونتیوم تیتانات غیر فعال
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
A bipolar-type one diode-one resistor (1D1R) memory device is proposed and demonstrated by integrating a Ni/TiO2/Ti diode and an Al/Strontium Titanate Nickelate (STN)/Pt bipolar resistive random access memory cell to suppress undesired sneak current in a cross-point array. Uniform self-compliance resistive-switching characteristics can be achieved by reverse bias current of the Ni/TiO2/Ti diode. Experimental results show that the bipolar 1D1R memory device has reproducible, uniform, and self-rectifying resistive-switching behavior in low-resistance state. High current ON/OFF ratio (>105) and satisfactory retention (>>105Â s) are achieved. Therefore, the proposed device exhibits high potential for high-density integrated nonvolatile memory applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 35-41
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 35-41
نویسندگان
Ke-Jing Lee, Yu-Chi Chang, Cheng-Jung Lee, Yeong-Her Wang,