کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5468319 | 1518930 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reprint of: Improvements on thermal stability of graphene and top gate graphene transistors by Ar annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thermal annealing of graphene was studied to improve the thermal stability. During the annealing under an Ar atmosphere with temperature from 100 °C to 600 °C, graphene exhibits partial removal of PMMA residues, low density of defect cracks in SEM images and relatively low ID/IG ratios in Raman spectrum probing. For a top-gated graphene transistor with thermal annealing, it performs high carrier mobility up to 3500 cm2 Vâ1 sâ1 and slightly asymmetric bipolar behaviours as well as slight Dirac point variation within ±0.2 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 149-154
Journal: Vacuum - Volume 140, June 2017, Pages 149-154
نویسندگان
Bo Liu, In-Shiang Chiu, Chao-Sung Lai,