کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546904 | 1450480 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of an integrated tunable differential negative resistance in UMC 0.18 μm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents a CMOS floating tunable differential resistance, which has the property of being positive with respect to common-mode signals while being negative for differential signals. The designed circuit is simulated in UMC 180 nm CMOS process: simulations show that the negative differential resistance can be varied in a broad range, from 23.5 kΩ to 3.8 MΩ.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 48, February 2016, Pages 1–6
Journal: Microelectronics Journal - Volume 48, February 2016, Pages 1–6
نویسندگان
A. Richelli, M. Grassi, J.-M. Redouté,