کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
546908 | 1450480 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design and analysis of jitter-aware low-power and high-speed TSV link for 3D ICs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a circuit-level design and analysis of high-data-rate 3D serial vertical links which exploit the high bandwidth provided by TSV technology. As most of the existing TSVs consume a large amount of die area, the serial configuration can save significant silicon real estate. The performance and jitter characteristic of the proposed 3D link has been accessed for different TSV technologies running worst-case simulations of RC-extracted layouts in 40 nm CMOS-technology. Results show that for a 2-layers system with an aggregate bandwidth of 80 Gbps, an 8-bit data serialization over 10μm TSVs consumes just 0.15 pJ/bit including the clock distribution network.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 48, February 2016, Pages 50–59
Journal: Microelectronics Journal - Volume 48, February 2016, Pages 50–59
نویسندگان
Giulia Beanato, Kiarash Gharibdoust, Alessandro Cevrero, Giovanni De Micheli, Yusuf Leblebici,