کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547159 | 871982 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A single-channel 8-bit 660 MS/s asynchronous SAR ADC with pre-settling procedure in 65 nm CMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A single-channel 8-bit low-power high-speed SAR ADC with a novel pre-settling procedure is presented in this paper. The proposed procedure relaxes the settling time significantly and improves the speed of the ADC. Moreover, the asynchronous technique avoids the high frequency internal clocks and further increases the speed of the SAR ADC. Based on SMIC 65 nm 1.2-V CMOS technology, the simulation results demonstrate that DNL and INL are −0.4/0.4 LSBs and −0.9/0.8 LSBs, respectively. At 660 MS/s sampling rate, the ADC consumes 7.6 mW from a 1.2 V supply. The proposed SAR ADC׳s SNDR and SFDR are 49.5 dB and 64.2 dB, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 7, July 2014, Pages 880–885
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 7, July 2014, Pages 880–885
نویسندگان
Zhangming Zhu, Minjie Liu, Qiyu Wang, Yintang Yang,