کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
547858 | 872063 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and optical properties of the polycrystalline ZnO films synthesized via oxidative annealing of ZnSe/YSZ heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We synthesized polycrystalline ZnO films via oxidative annealing of ZnSe/yttria-stabilized zirconia (YSZ) heterostructures and investigated the influence of the processing conditions on their structural and optical properties. While ZnO films synthesized using low-temperature annealing (500–600 °C) did not show any preferential orientation, highly textured films were obtained at high temperatures (700–800 °C). In addition, we demonstrated that prolonged high-temperature annealing (3 h at 800 °C) effectively eliminated point defects, as was evident from the increased band edge to deep-level emission intensity ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 74–77
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 1, January 2009, Pages 74–77
نویسندگان
O. Maksimov,