کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548054 | 872089 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Morphological evolution and lateral ordering of uniform SiGe/Si(0 0 1) islands
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
By investigating the morphological evolution during epitaxial growth of Ge on Si(0 0 1) substrates, we find that highly uniform distributions of islands can be obtained. The islands are no longer domes but they consist of barns, which are bounded by steeper facets. A detailed morphological analysis indicates the presence of facets at their base, which are not stable for Ge but for Si. Finally, we show that long-range ordering of highly uniform SiGe barns can be obtained when the growth is performed on patterned Si(0 0 1) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1528–1531
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1528–1531
نویسندگان
M. Stoffel, A. Rastelli, T. Merdzhanova, G.S. Kar, O.G. Schmidt,