کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
548061 | 872089 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence study of type-II GaAs quantum well wires grown on nano-faced (3 1 1)A surface: Quasi-1D exciton observation?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
GaAs/AlAs corrugated superlattices (CSLs) grown on nano-faceted (3 1 1)A GaAs surface were studied using Raman spectroscopy and photoluminescence (PL) techniques. Raman data (splitting of localized transversal optical phonons) have proved structural anisotropy of the CSLs. The structural anisotropy leads to optical anisotropy appeared in strong polarization dependence of PL. Temperature dependence of PL has shown that the CSLs are type-II superlattices. Additional peak in PL spectrum at low (77–100 K) temperatures can be result of quasi-1D exciton appearance in the CSLs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1557–1560
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 12, December 2006, Pages 1557–1560
نویسندگان
V.A. Volodin, M.D. Efremov,