کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5492572 | 1526252 | 2017 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD](/preview/png/5492572.png)
چکیده انگلیسی
This article presents a new bulk radiation damage model for p-type silicon for use in Synopsys Sentaurus TCAD. The model is shown to provide agreement between experiment and simulation for the voltage dependence of the leakage current and the charge collection efficiency, for fluences up to 8Ã10151MeVneqâcm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 874, 1 December 2017, Pages 94-102
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 874, 1 December 2017, Pages 94-102
نویسندگان
Ã
. Folkestad, K. Akiba, M. van Beuzekom, E. Buchanan, P. Collins, E. Dall'Occo, A. Di Canto, T. Evans, V. Franco Lima, J. GarcÃa Pardiñas, H. Schindler, M. Vicente, M. Vieites Diaz, M. Williams,