کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
5492572 1526252 2017 21 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Development of a silicon bulk radiation damage model for Sentaurus TCAD
چکیده انگلیسی
This article presents a new bulk radiation damage model for p-type silicon for use in Synopsys Sentaurus TCAD. The model is shown to provide agreement between experiment and simulation for the voltage dependence of the leakage current and the charge collection efficiency, for fluences up to 8×10151MeVneq∕cm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 874, 1 December 2017, Pages 94-102
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت