کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5788731 | 1414266 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relationship between the parent charge transfer gap and maximum transition temperature in cuprates
ترجمه فارسی عنوان
رابطه بین شکاف انتقال بار اصلی و دمای انتقال حداکثر در کاپرت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاپراتها مقره مقطع شکاف انتقال شارژ، حداکثر دمای انتقال، میکروسکوپ تونلی اسکن کردن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
One of the biggest puzzles concerning the cuprate high temperature superconductors is what determines the maximum transition temperature (Tc,max), which varies from less than 30 to above 130Â K in different compounds. Despite this dramatic variation, a robust trend is that within each family, the double-layer compound always has higher Tc,max than the single-layer counterpart. Here we use scanning tunneling microscopy to investigate the electronic structure of four cuprate parent compounds belonging to two different families. We find that within each family, the double layer compound has a much smaller charge transfer gap size (âCT), indicating a clear anticorrelation between âCT and Tc,max. These results suggest that the charge transfer gap plays a key role in the superconducting physics of cuprates, which shed important new light on the high Tc mechanism from doped Mott insulator perspective.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Science Bulletin - Volume 61, Issue 23, December 2016, Pages 1826-1832
Journal: Science Bulletin - Volume 61, Issue 23, December 2016, Pages 1826-1832
نویسندگان
Wei Ruan, Cheng Hu, Jianfa Zhao, Peng Cai, Yingying Peng, Cun Ye, Runze Yu, Xintong Li, Zhenqi Hao, Changqing Jin, Xingjiang Zhou, Zheng-Yu Weng, Yayu Wang,