کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945477 | 1450514 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New NBTI models for degradation and relaxation kinetics valid over extended temperature and stress/recovery ranges
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we present NBTI stress and recovery effects measured on PFET devices issued from various FDSOI technologies. NBTI degradation and recovery subsequent to DC stress are measured at the μs time scale. After in-depth analysis of temperature and stress/recovery bias effects, we propose new NBTI models for degradation and recovery kinetics including temperature, Vgstress and Vgrecovery dependencies. These models are finally validated on different technologies and various experimental conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 87, August 2018, Pages 106-112
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 87, August 2018, Pages 106-112
نویسندگان
D. Nouguier, X. Federspiel, G. Ghibaudo, M. Rafik, D. Roy,