کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945553 | 1450517 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A double snapback SCR ESD protection scheme for 28â¯nm CMOS process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work proposes a novel double-snapback silicon-controlled rectifier (DS-SCR) electrostatic discharge protection (ESD) device by using an embedded GGNMOS structure. With the double snapback mechanism, the proposed DS-SCR achieves a high ESD robustness with a current level of 33.0â¯mA/μm. In addition, the low trigger and high holding voltages make the DS-SCR structure to have high potential for using in 28â¯nm CMOS process ESD protection. We also conducted detailed studies on the mechanisms and geometry effects of this newly proposed structure via TCAD simulations and experimental validations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 84, May 2018, Pages 20-25
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 84, May 2018, Pages 20-25
نویسندگان
Tao Hu, Shurong Dong, Hao Jin, Hei Wong, Zekun Xu, Xiang Li, Juin J. Liou,