کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6945787 | 1450519 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
NBTI: Experimental investigation, physical modelling, circuit aging simulations and verification
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The last chapter introduces a new method to verify the NBTI model and the correct implementation into a circuit aging simulator with real hardware measurements. An arbitrary waveform generator is used to drive single transistors in identical operation modes with identical sequence and proportion of each single operating point as during real circuit operation. In this manner, the calculated drift for one transistor in a circuit can be compared with a measurement drift for a given stress pattern.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 82, March 2018, Pages 1-10
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 82, March 2018, Pages 1-10
نویسندگان
C. Schlünder, K. Puschkarsky, G.A. Rott, W. Gustin, H. Reisinger,