کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946087 | 1450522 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ESD protection structure with reduced capacitance and overshoot voltage for high speed interface applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dual diodes with embedded silicon controlled rectifier (DD-SCR) for high-speed applications are presented. A new DD-SCR topography is shown to exhibit a high failure current (It2), small on-state resistance (RON), low voltage overshoot and low parasitic capacitance. This is a preferred device option for broadband high-speed data converter applications in advanced 28Â nm CMOS processes. A comprehensive device characterization demonstrates the design tradeoffs and the superior ESD performance in relation to the devices' variations capacitance in the sub 40Â fF range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 79, December 2017, Pages 201-205
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 79, December 2017, Pages 201-205
نویسندگان
Aihua Dong, Javier A. Salcedo, Srivatsan Parthasarathy, Yuanzhong Zhou, Sirui Luo, Jean-Jacques Hajjar, Juin J. Liou,