کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946099 | 1450522 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SPICE level implementation of physics of filamentation in ESD protection devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we build circuit models to understand the physics of electro-thermal instability and associated thermal runway in advanced ESD protection devices under filamentation. The circuit building methodology takes into account, the instability arising out of inhomogeneous triggering of 2 â D planar bipolar and looks into inherent instability causing the 3 â D phenomenon. Subsequently, the electro-thermal coupling is analyzed to get SPICE model, as we develop a physics based methodology to comprehend the 3 â D localization in the device. Furthermore, we understand the instability through appropriate modeling of localization behavior using area factor (α) and related electro-thermal circuit models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 79, December 2017, Pages 239-247
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 79, December 2017, Pages 239-247
نویسندگان
Dheeraj Kumar Sinha, Amitabh Chatterjee,