کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946247 | 1450541 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The ESD protection characteristic and low-frequency noise analysis of GaN Schottky barrier diode with fluorine-based plasma treatment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, the electrostatic discharge (ESD) protection of Schottky diode with fluorine-based plasma treatment is proven by transmission-line pulse (TLP) measurement. And the low-frequency noise (LFN) is used to determine the activation energy (Ea) of a GaN Schottky diode with plasma treatment. This experiment compares the Schottky diode with CF4 and CHF3 plasma treatment, respectively with a standard Schottky diode to determine the characteristics and to assess the low-frequency noise and the ESD protection ability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 44-48
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 44-48
نویسندگان
Hsien-Chin Chiu, Ji-Fan Chi, Hsuan-Ling Kao, Chia-Yi Chu, Kuan-Liang Cho, Feng-Tso Chien,