کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946282 | 1450541 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Validation of TSV thermo-mechanical simulation by stress measurement
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The validated simulation model is useful for structural parametric analysis of TSV. The proposed methodology with stress measurement by polarized Raman spectroscopy and stress analysis by simulation can be used to study the radial and axial thermal stress of other devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 95-101
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 59, April 2016, Pages 95-101
نویسندگان
Wei Feng, Naoya Watanabe, Haruo Shimamoto, Masahiro Aoyagi, Katsuya Kikuchi,