کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946419 | 1450542 | 2016 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lifetime tests of 600-V GaN-on-Si power switches and HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Lifetime tests of 600-V GaN-on-Si power switches and HEMTs Lifetime tests of 600-V GaN-on-Si power switches and HEMTs](/preview/png/6946419.png)
چکیده انگلیسی
We present the first systematic lifetime tests which show excellent long-term reliability for 600 V GaN-on-Si power switches.High voltage accelerated life testing in the OFF-state yields a field related mean-time-to-failure (MTTF) greater than 3 Ã 108 h for a 600 V operating condition. High temperature accelerated testing in the ON-state gives an MTTF of about 6 Ã 108h at a 150 °C use condition. High temperature operating life testing using hard switched boost converters at 175 °C shows no measurable device degradation after 3000 h of operation. These results show that the intrinsic reliability of the new device technology is more than adequate for commercial and industrial power electronics applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 58, March 2016, Pages 197-203
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 58, March 2016, Pages 197-203
نویسندگان
K.V. Smith, J. Haller, J. Guerrero, R.P. Smith, R. Lal, Y.-F. Wu,