کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946551 | 1450545 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Physically-based extraction methodology for accurate MOSFET degradation assessment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Applied to MOSFETs experiencing Hot Carrier Stress, the proposed methodology provides deeper insights into the relationship between stress-induced defects location and their impact on electrostatic and transport degradations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1417-1421
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1417-1421
نویسندگان
Giulio Torrente, Jean Coignus, Sophie Renard, Alexandre Vernhet, Gilles Reimbold, David Roy, Gerard Ghibaudo,