کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946587 | 1450545 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of source and drain asymmetry on hot carrier degradation in vertical nanowire MOSFETs
ترجمه فارسی عنوان
اثر عدم تقارن منبع و تخلیه بر تضعیف حامل حبس در موشک های نانوسیم عمودی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Effects of source and drain (S/D) asymmetry on hot carrier degradation in vertical nanowire MOSFETs have been investigated with different nanowire radiuses. The S/D asymmetry causes different degree of hot carrier degradations between forward and reverse stresses. The actual stress voltage applied to the channel as a result of parasitic resistance and gate to junction overlap length is attributed to the cause of the asymmetric degradation. The narrower nanowire also suffers from worse hot carrier effects due to current crowding and geometric effects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1456-1459
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1456-1459
نویسندگان
Jae Hoon Lee, Jin-Woo Han, Chong Gun Yu, Jong Tae Park,