کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946670 | 1450545 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Latent gate oxide defects case studies
ترجمه فارسی عنوان
مطالعات موردی نقص اکسید گیت باقی مانده
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
پارگی اکسید دروازه، شکست نامطلوب، تجزیه و تحلیل شکست خراش سیلیکون، اقدامات اصلاحی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Gate oxide rupture is a major concern in IC failure reliability, especially as latent wafer fab defect is difficult to screen out at component testing. Failure Analysis is key in improving product quality as it allows understanding the failure root cause in order to establish manufacturing corrective actions. Three automotive components Failure Analysis cases dealing with different types of latent gate oxide defects will be presented as well as the associated correctives actions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1607-1610
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issues 9â10, AugustâSeptember 2015, Pages 1607-1610
نویسندگان
J. Goxe, C. Abouda, B. Vanhuffel,