کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6946867 | 1450547 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The influence of liners with Ti, Ta or Ru finish on thin Cu films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The influence of the different liner material stacks Ti-N/Ti, Ta-N/Ta and Ta-N/Ru on the microstructure of 1 μm thick sputtered Cu films is examined prior to and after annealing. It is shown that the liner has an impact on the crystallographic orientation distribution of the Cu grains and seriously affects the defect density in the Cu films. The measured Cu resistivity shows a strong dependence on the microstrain.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1877-1882
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issues 9â10, SeptemberâOctober 2014, Pages 1877-1882
نویسندگان
David Gross, Sabine Haag, Martin Schneider-Ramelow, Klaus-Dieter Lang,