کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701197 | 1460818 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanodiamond lateral field emitter devices on thick insulator substrates for reliable high power applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Nanodiamond lateral field emitter devices on thick insulator substrates for reliable high power applications Nanodiamond lateral field emitter devices on thick insulator substrates for reliable high power applications](/preview/png/701197.png)
چکیده انگلیسی
Nanocrystalline diamond field emitter array devices on a thick insulator substrate are being developed for high power applications. These monolithic lateral emitter diodes in comb array configurations demonstrate potential for high emission current applications. A 640 μm-thick aluminium nitride insulating substrate has been integrated with nanodiamond for device electrode isolation. The fabrication process and preliminary field emission characterization results are discussed. The nanodiamond lateral vacuum device may be a superior way to achieve reliable high-speed and high-power electronics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 786–789
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 17, Issues 4–5, April–May 2008, Pages 786–789
نویسندگان
K. Subramanian, W.P. Kang, J.L. Davidson, M. Howell,