کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701259 | 1460819 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ study of the initial stages of diamond deposition on 3C–SiC (100) surfaces: Towards the mechanisms of diamond nucleation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The mechanisms involved in the diamond nucleation on 3C–SiC surfaces have been investigated using a sequential in situ approach using electron spectroscopies (XPS, XAES and ELS). Moreover, diamond crystals have been studied by HRSEM. The in situ nucleation treatment allows a high diamond nucleation density close to 4 × 1010 cm− 2. During the in situ enhanced nucleation treatment under plasma, a negative bias was applied to the sample. The formation of an amorphous carbon phase and the roughening of the 3C–SiC surface have been observed. The part of these competing mechanisms in diamond nucleation is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 690–694
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 690–694
نویسندگان
J.C. Arnault, S. Saada, S. Delclos, L. Intiso, N. Tranchant, R. Polini, Ph. Bergonzo,