کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701274 | 1460819 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface roughening of diamond (001) films during homoepitaxial growth in heavy boron doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A systematic investigation of heavily boron-doped diamond (001) surfaces was performed by atomic force microscopy. Heavily boron-doped diamond surfaces produced by chemical vapor deposition with boron/carbon (B/C) ratios of more than 1600 ppm in the gas phase were rough, whereas an unintentionally doped diamond surface was atomically flat. These results show that the surface roughening is due to heavy doping by boron during homoepitaxial diamond growth.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 767–770
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 767–770
نویسندگان
Norio Tokuda, Hitoshi Umezawa, Takeyasu Saito, Kikuo Yamabe, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki,