کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701339 | 1460819 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Local photoconductivity on diamond metal-semiconductor-metal photodetectors measured by conducting probe atomic force microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Local photoconductivity characterizations have been carried out on planar interdigitated metal-semiconductor-metal (MSM) devices fabricated on homoepitaxial CVD diamond for UV application. For this purpose a deuterium light source with an integrated UV fibre was combined and adapted to a conducting probe atomic force microscope (CP-AFM) tool. In this study, photocurrent was evidenced by local electrical resistance mapping measurements and analyzed as a function of the applied voltage and time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1074–1077
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1074–1077
نویسندگان
J. Alvarez, J.P. Kleider, F. Houzé, M.Y. Liao, Y. Koide,