کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
701346 | 1460819 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selective growth of CNT by using triode-type radio frequency plasma chemical vapor deposition method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Selective growth of CNT by using triode-type radio frequency plasma chemical vapor deposition method Selective growth of CNT by using triode-type radio frequency plasma chemical vapor deposition method](/preview/png/701346.png)
چکیده انگلیسی
Triode-type radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) equipment has been used in order to grow well-aligned carbon nanotubes on Si and glass substrates below 600 °C. This CVD equipment allows the growth of a well-aligned carbon nanotube with an inside and an outside diameter of 7 and 17 nm, respectively. The selective growth of the CNT was demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1106–1109
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 16, Issues 4–7, April–July 2007, Pages 1106–1109
نویسندگان
Yoshiyuki Show, Norihiko Fukuzumi,