کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
702475 | 1460823 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of triode type RF plasma enhanced CVD equipment for low temperature growth of carbon nanotube
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Triode-type radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) equipment has been developed in order to grow well-aligned carbon nanotubes on Si and glass substrates at 550 °C. The CVD equipment employs a grid electrode in addition to the cathode and anode electrodes. The grid electrode allows the growth of a well-aligned carbon nanotube with an inside and an outside diameter of 7 and 17 nm, respectively. Moreover, the patterning growth of the well-aligned CNT on a glass substrate was also demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 1848–1851
Journal: Diamond and Related Materials - Volume 14, Issues 11–12, November–December 2005, Pages 1848–1851
نویسندگان
Yoshiyuki Show, Yutaka Yabe, Tomio Izumi, Hidehiko Yamauchi,